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IRF7807D2TRPBF中文资料

IRF7807D2TRPBF图片

IRF7807D2TRPBF外观图

  • 大小:6KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:FETKY™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 毫欧 @ 7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF7807D2PBFTRIRF7807D2TRPBF-NDIRF7807D2TRPBFTR-ND

IRF7807D2TRPBF供应商

更新时间:2023-01-07 18:03:33
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